Импортозамещение в электронике
Запущено первое в России промышленное производство наногетероструктур на основе арсенида галлия. Установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) ввело в эксплуатацию АО «Экран-оптические системы» (ЭОС; Новосибирск, актив РАТМ-холдинга, якорный резидент индустриального парка «Экран»), опираясь на фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова (ИФП) Сибирского отделения РАН. Инвестиции составили 350 млн рублей, источник — средства акционера и заемные, сообщает пресс-центр РАТМ-холдинга.
Производительность установки МЛЭ фирмы Riber (Франция), размещенной на площадке ИФП, — до 10 тысяч пластин GaAs в год. «Экран-оптические системы» намерены освоить значительную долю отечественного рынка пластин GaAs и GaN (нитрида галлия), а также экспортировать их.
В настоящее время ЭОС — единственное предприятие в стране, которое уже готово поставлять заказчикам пластины GaAs для пассивных и активных устройств электронно-компонентной базы (ЭКБ) — сейчас их в основном импортируют c Тайваня, из Китая и Южной Кореи.
Наногетероструктуры GaAs (относятся к категории сверхпроводников с частотой более 2 ГГц) необходимы, в частности, для сотовых телефонов, мобильных сетей 5G, телекоммуникационной техники, преобразователей сигналов, усилителей мощности, транзисторов, солнечных панелей для космических аппаратов, фотоприемников, индикаторов, дисплеев, оптоэлектроники.
«Наладив выпуск пластин GaAs, мы завершили первый этап реализации масштабного проекта по созданию единственного в России промышленного производства полупроводниковых гетероструктур соединений A3B5 и приборов на их основе, рассчитанного до 2023 года. ЭКБ на базе технологий арсенида галлия обеспечивает мощность один-два ватта, а с использованием нитрида галлия этот показатель увеличивается в разы — до 20–25 ватт. Поэтому на втором этапе мы планируем изготавливать пластины GaN, для чего потребуется 750–900 миллионов рублей, а на третьем — ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники, необходимый объем вложений — примерно миллиард рублей, — сообщил генеральный директор АО «Экран-оптические системы» Андрей Гугучкин.
Объем производства в денежном выражении при достижении показателей первого этапа составит 350–400 млн рублей в год, второго этапа — до 1,2–1,5 млрд рублей, третьего — до 3 млрд рублей.
АО «Экран-оптические системы» — один из мировых лидеров по выпуску фотоэлектронных умножителей и ведущий производитель электронно-оптических преобразователей в России. Приборы под брендом ЭОС работают на астрофизических полигонах Италии, Франции, США, в Баксанской нейтринной обсерватории; они установлены на российских космических аппаратах, а также на американских станциях WIND-1 и WIND-2. За последние пянадцать лет доля экспортируемой продукции (сегодня она представлена более чем в 50 странах Европы, Америки и Азии) выросла с нуля до 95%.