Инновации 21 мая 2019

Литография без маски

В Институте физики микроструктур РАН изучают возможность создания прорывной фотолитографической установки — ключевого элемента технологии производства самых современных процессоров, — с которой можно будет выйти на мировой рынок
Литография без маски
Главный научный сотрудник Института физики микроструктур, член-корреспондент РАН Николай Салащенко
Николай Нестеренко

Еще в 2017 году крупнейший производитель чипов — ключевых элементов любой электронной аппаратуры — Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) объявил о строительстве новой фабрики, которая будет работать по 3 нм.

В 1965 году, когда один из создателей корпорации Intel Гордон Мур высказал эмпирическое предположение, которое потом назвали «законом Мура», что число транзисторов на кристалле будет удваиваться каждые полтора-два года, а их размеры, которые называются проектными нормами, соответственно уменьшаться, эти нормы исчислялись в микронах — теперь же это нанометры.

Возможность достижения таких результатов появилась благодаря фотолитографии. Существует несколько ее типов. До последнего времени в производстве микроэлектроники в основном использовалась проекционная фотолитография, оборудование для которой одно из самых сложных, точных и дорогих в машиностроении. Цена таких установок выросла за последние десятилетия с десятков тысяч долларов до десятков миллионов.

Получите доступ к полному тексту материала

Зарегистрируйтесь до 31.10.2025 и получите бесплатный доступ к материалам на 30 дней.

Еще по теме:
15.10.2025
В России разработали телевизор для дальтоников, который смогут смотреть и люди без нарушений цветовосприятия. Метод обра...
03.10.2025
Николай Платонович Андреев — мастер пикториализма, одна из ключевых фигур в истории русской фотографии. Этот всемирно из...
30.09.2025
Несмотря на свою консервативность, именно образование становится одной из первых отраслей, которую ожидает глубочайшая т...
25.09.2025
Уникальная технология биологической очистки сточных вод, разработанная в Томском государственном архитектурно-строительн...
Наверх