Синхротроном по голландской монополии

На прошлой неделе в городе Хэфэй провинции Аньхой на востоке Китая началось строительство установки синхротронного излучения четвертого поколения, предназначенного для решения задач микроэлектроники. Как сообщают китайские СМИ, установка должна быть сдана в эксплуатацию в 2027 году. Это уже не первый синхротрон в Китае. Первую установку Китай построил в Пекине для Института физики высоких энергий еще в 1991 году и отработал на ней разнообразные приемы использования синхротронного излучения, в том числе для фотолитографии. Мнения экспертов о том, стоит ли ждать прорыва, расходятся.

Цель фотолитографии в микроэлектронике — формирование заданного изображения на кремниевой подложке для получения необходимой топологии микросхемы. Для этого на кремниевую подложку наносят тонкий слой материала, из которого нужно сформировать рисунок. На этот слой наносится светочувствительный материал — фоторезист, который подвергается облучению через оптическую систему специальной машины — фотолитографа — и фотошаблон (маску). После последующей обработки фоторезиста на пластине остается заданный рисунок. Чем меньше длина волны излучения, тем меньше размеры получаемых элементов рисунка. В процессе изготовления микросхем операция фотолитографии на одной пластине повторяется многократно, и каждое новое изображение должно очень точно совмещаться с предыдущим.